520当天 国家发改委干了两件大事

4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈_蜘蛛资讯网

bsp;  中国中铁5月12日在互动平台回复投资者提问时表示，公司未启动关于港股退市的相关评估工作，任何涉及上市地位的重大决策均需综合考量多重因素。

直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈，是实现 4F Square 高密度单元的基础。图源：三星10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计，4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至

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发布时间：04:50:20